买卖IC网 >> 产品目录 >> BLF6G10L-200BRN:11 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BLF6G10L-200BRN:11

库存数量：可订货
制造商：NXP Semiconductors
描述：射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
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制造商 NXP Semiconductors
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率 0.7 GHz to 1 GHz
增益 20 dB
输出功率 40 W
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流 49 A
闸/源击穿电压 +/- 13 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 SOT-502A
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 BLF6G10L-200BRN:11
BLF6G10L-260PBM,11
BLF6G10L-260PRN,11
BLF6G10L-40BRN
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公司名
电话
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深圳市品业电子有限公司 0755-23895664 李小姐
深圳市晶美隆科技有限公司 0755-82519391 李林
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深圳市瑞斯特电子科技有限公司 0755-82550910 杨锐锋
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129491949(手机优先 谭玉丽
  • BLF6G10L-200BRN:11 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价